科技日報北京12月28日電(記者 張夢然) 據最新一期美國化學會期刊《應用材料與界面》報道，新加坡科技與設計大學(SUTD)研究團隊開發(fā)出一種基于二維(2D)材料的新型人工突觸，能用于可高度擴展的類腦計算。

　　模仿人腦功能的類腦計算因其在人工智能中的功能應用和低能耗而引起科學界的廣泛關注。像人腦一樣，為了讓類腦計算發(fā)揮作用，記住兩個神經元之間連接的突觸必不可少。

　　在發(fā)育的大腦中，突觸可以分為功能性突觸和沉默突觸。功能性突觸是活躍的，而沉默突觸在正常條件下是不活躍的。而且，當沉默突觸被激活時，它們可幫助優(yōu)化神經元之間的連接。由于人腦包含大約一百萬億個突觸，而建立在數字電路上的人工突觸通常占據較大的空間，因此在硬件效率和成本方面存在限制，要將其應用于智能便攜式設備和物聯網，需要提高硬件成本。

　　為了解決這個問題，SUTD研究團隊使用2D材料模擬了功能性和沉默突觸的行為。此外，他們還首次證明，這種人工突觸可以同時作為功能性和沉默突觸的相同設備。

　　研究人員指出，這項工作可用單個設備替換基于復雜數字電路的功能性和沉默突觸，從而顯著降低硬件成本�！巴ㄟ^使用超薄的2D材料將功能性和沉默突觸集成到同一設備中，人造突觸的硬件成本將顯著降低，這將推動類腦硬件的商業(yè)化”。

　　從神經生物學的角度來看，當突觸前神經元接受持續(xù)刺激時，沉默突觸不會產生興奮行為，因為它們含有N-甲基-D-天冬氨酸(NMDA)受體，但它們缺乏α-氨基-3-羥基-5-甲基-4-異惡唑丙酸(AMPA)受體。然而，沉默突觸可被激活成為功能性突觸，在連續(xù)刺激后插入AMPA受體時對刺激作出反應。

　　受到插入AMPA受體激活沉默突觸的生物學機制的啟發(fā)，通過在2D硒化銦材料系統(tǒng)中引入硫陰離子，可實現從沉默突觸到功能性突觸的轉變。硒化銦中的硫陰離子可在電場下遷移，并表現出功能性突觸可塑性。該設備基于完全硫化類型的系統(tǒng)，在室溫下表現出明顯的憶阻行為，可用于實現功能性突觸。沉默突觸的激活可使用部分硫化類型的系統(tǒng)，通過改變溫度來實現。