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橫截面積僅一平方納米 迄今最小原子存儲(chǔ)單元面世

2020年11月27日 10:38:15 來(lái)源:科技日?qǐng)?bào) 作者:劉霞

  科技日?qǐng)?bào)北京11月26日電(記者 劉霞) 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)23日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家研制出了迄今最小的存儲(chǔ)設(shè)備,其橫截面積僅1平方納米,容量約為25兆比特/平方厘米,與目前的商用閃存設(shè)備相比,每層的存儲(chǔ)密度提高了100倍。研究人員表示,最新研究有助于科學(xué)家研制出更快、更小、更智能、更節(jié)能的芯片,應(yīng)用于從消費(fèi)電子到類腦計(jì)算機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域。

  研究人員稱,最新研究基于他們兩年前的研究成果。當(dāng)時(shí),他們研制出了那時(shí)最纖薄的存儲(chǔ)設(shè)備——“atomristor”,其厚度僅為單個(gè)原子厚度。但要使存儲(chǔ)設(shè)備變得更小,橫截面積也要更小。因此,在最新研究中,他們將存儲(chǔ)器的橫截面積縮小到僅1平方納米。

  研究人員解釋稱,制造存儲(chǔ)設(shè)備的材料中的缺陷或孔洞是其擁有高密度存儲(chǔ)能力的關(guān)鍵所在。最新研究負(fù)責(zé)人、得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校電氣和計(jì)算機(jī)工程學(xué)系教授德杰·阿金沃德說(shuō):“當(dāng)一個(gè)額外的金屬原子闖入納米孔洞內(nèi)并填充它時(shí),會(huì)將自己的一些導(dǎo)電性能賦予材料,這會(huì)產(chǎn)生變化或存儲(chǔ)效應(yīng)。”

  阿金沃德介紹道,最新研制出的存儲(chǔ)器是一種憶阻器,這是存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的“香餑餑”,它們可以做更小,同時(shí)擁有更多存儲(chǔ)容量。存儲(chǔ)設(shè)備越小,越有望催生更小的芯片和處理器,如此也有助科學(xué)家們研制出更緊湊的計(jì)算機(jī)和手機(jī)?s小尺寸也可以降低存儲(chǔ)器的能耗并提高存儲(chǔ)容量,這意味著科學(xué)家們可以研制出能耗更少但運(yùn)行速度更快、更智能的設(shè)備。

  美國(guó)陸軍研究辦公室資助了這一研究,該辦公室項(xiàng)目經(jīng)理帕尼·瓦拉納西說(shuō):“這項(xiàng)研究獲得的結(jié)果為開發(fā)國(guó)防部感興趣的下一代應(yīng)用,如超高密度存儲(chǔ)、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)、射頻通信系統(tǒng)等鋪平了道路!

  阿金沃德說(shuō):“存儲(chǔ)器領(lǐng)域的‘圣杯’是用單個(gè)原子控制存儲(chǔ)功能,我們?cè)谛卵芯恐袑?shí)現(xiàn)了這一點(diǎn)。盡管最新研究使用二硫化鉬作為主要納米材料,但我們認(rèn)為,該發(fā)現(xiàn)可能適用于數(shù)百種相關(guān)的原子厚度的纖薄材料!

[編輯: 王姝]
(本文來(lái)源:科技日?qǐng)?bào))
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